潔凈室中的溫濕度控制 |
瀏覽次數:1052 發布時間:2022-07-03 |
潔凈空間的(de)(de)(de)(de)(de)溫濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)主要是(shi)根(gen)據工藝要求(qiu)(qiu)(qiu)來確定,但在(zai)滿足工藝要求(qiu)(qiu)(qiu)的(de)(de)(de)(de)(de)條件下(xia),應考(kao)慮到人的(de)(de)(de)(de)(de)舒(shu)適(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)感。隨(sui)著空氣潔凈度(du)(du)(du)(du)(du)(du)要求(qiu)(qiu)(qiu)的(de)(de)(de)(de)(de)提高,出(chu)現(xian)了工藝對(dui)(dui)(dui)(dui)溫濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)(qiu)(qiu)也越(yue)(yue)來越(yue)(yue)嚴的(de)(de)(de)(de)(de)趨勢。具體工藝對(dui)(dui)(dui)(dui)溫度(du)(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)(qiu)(qiu)以后還要列舉,但作(zuo)(zuo)為(wei)總的(de)(de)(de)(de)(de)原則(ze)看,由于(yu)加工精(jing)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)精(jing)細,所以對(dui)(dui)(dui)(dui)溫度(du)(du)(du)(du)(du)(du)波動范(fan)(fan)圍的(de)(de)(de)(de)(de)要求(qiu)(qiu)(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。例如在(zai)大(da)規模集成電路生(sheng)產(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)光刻曝光工藝中(zhong),作(zuo)(zuo)為(wei)掩膜板材料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)玻璃(li)與(yu)硅(gui)片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)熱膨(peng)脹系(xi)數的(de)(de)(de)(de)(de)差要求(qiu)(qiu)(qiu)越(yue)(yue)來越(yue)(yue)小。直徑100 um的(de)(de)(de)(de)(de)硅(gui)片(pian),溫度(du)(du)(du)(du)(du)(du)上(shang)升(sheng)1度(du)(du)(du)(du)(du)(du),就(jiu)引起了0.24um線性(xing)膨(peng)脹,所以必須(xu)有±0.1度(du)(du)(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)(de)(de)恒溫,同時(shi)要求(qiu)(qiu)(qiu)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)值一般較(jiao)低(di),因(yin)為(wei)人出(chu)汗以后,對(dui)(dui)(dui)(dui)產(chan)品(pin)將有污(wu)染,特別是(shi)怕鈉的(de)(de)(de)(de)(de)半導體車間,這種車間溫度(du)(du)(du)(du)(du)(du)不宜(yi)超(chao)過25度(du)(du)(du)(du)(du)(du),濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)過高產(chan)生(sheng)的(de)(de)(de)(de)(de)問題更(geng)多。相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)超(chao)過55%時(shi),冷卻水管壁上(shang)會(hui)結露,如果發(fa)生(sheng)在(zai)精(jing)密裝置或電路中(zhong),就(jiu)會(hui)引起各種事故。相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)在(zai)50%時(shi)易(yi)生(sheng)銹。此外,濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)太高時(shi)將通過空氣中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)水分(fen)子把硅(gui)片(pian)表面粘(zhan)著的(de)(de)(de)(de)(de)灰塵化學吸附(fu)在(zai)表面難(nan)以清除(chu)。相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)越(yue)(yue)高,粘(zhan)附(fu)的(de)(de)(de)(de)(de)越(yue)(yue)難(nan)去掉,但當相(xiang)(xiang)對(dui)(dui)(dui)(dui)濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)低(di)于(yu)30%時(shi),又由于(yu)靜電力的(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)(zuo)用使粒子也容易(yi)吸附(fu)于(yu)表面,同時(shi)大(da)量(liang)半導體器(qi)件容易(yi)發(fa)生(sheng)擊(ji)穿。對(dui)(dui)(dui)(dui)于(yu)硅(gui)片(pian)生(sheng)產(chan)最佳濕(shi)(shi)(shi)(shi)度(du)(du)(du)(du)(du)(du)范(fan)(fan)圍為(wei)35—45%。 |